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S1P05R120HBB SICHAIN(清纯) 现货与清单询价

S1P05R120HBB，SICHAIN(清纯)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，62.8x56.8mm封装，询盘确认库存，特性：漏源极电压（V_DSS） = 1200V。额定漏极电流（I_D~nom） = 240A。可高速开关。高功率密度。可高频运行。超低损耗。应用：伺服驱动器。 UPS系统

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MPN: S1P05R120HBB
品牌/制造商: SICHAIN(清纯)
封装: 62.8x56.8mm
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/S1P05R120HBB

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