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RJH60F7DPQ-A0#T0 RENESAS(瑞萨)/IDT 现货与清单询价

RJH60F7DPQ-A0#T0，RENESAS(瑞萨)/IDT，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247A封装，询盘确认库存，特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。 单封装内置快速恢复二极管。 沟槽栅和薄晶圆技术。 高速开关：tf = 74ns