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RGT00TS65DGC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

RGT00TS65DGC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为高性能IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.65V，有助于降低导通损

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MPN
RGT00TS65DGC11-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/RGT00TS65DGC11-HXY
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