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RBR3L40CDDTE25-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

RBR3L40CDDTE25-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流为500μA。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于电源整流、极性保护、续流

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MPN
RBR3L40CDDTE25-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/RBR3L40CDDTE25-HXY
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