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RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 RENESAS(瑞萨)/IDT 现货与清单询价
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0，RENESAS(瑞萨)/IDT，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247A封装，询盘确认库存，特性：沟槽栅和薄晶圆技术（G8H系列）。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.8V（典型值，IC = 40A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。 质量
- MPN
- RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
- 品牌/制造商
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 封装
- TO-247A
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/RBN40H125S1FPQ-A0%23CB0