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RB521S30T1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

RB521S30T1G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SOD-523封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流

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MPN
RB521S30T1G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOD-523
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/RB521S30T1G-HXY
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