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RB068L100DDTE25-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

RB068L100DDTE25-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对

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MPN
RB068L100DDTE25-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/RB068L100DDTE25-HXY
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