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R6576ENZ4C13-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

R6576ENZ4C13-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件在高电压条件下仍能维持较低的导通损耗，同时较宽的栅极驱动窗口有

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MPN
R6576ENZ4C13-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/R6576ENZ4C13-HXY
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