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R6535KNX3C16-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

R6535KNX3C16-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关条件下

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MPN
R6535KNX3C16-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/R6535KNX3C16-HXY
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