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R6530KNXC7G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

R6530KNXC7G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的栅极驱动与器

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MPN
R6530KNXC7G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/R6530KNXC7G-HXY
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