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R6524KNX3C16-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

R6524KNX3C16-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-10V至

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MPN: R6524KNX3C16-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/R6524KNX3C16-HXY

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