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R6515KNXC7G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

R6515KNXC7G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压和15A的连续漏极电流能力，导通电阻典型值为260mΩ，在高电压工作条件下可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定驱动与可靠关

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MPN
R6515KNXC7G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/R6515KNXC7G-HXY
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