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R6511KND3TL1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

R6511KND3TL1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，确保器件在驱动信号下

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MPN
R6511KND3TL1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/R6511KND3TL1-HXY
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