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PTVSHC3N4V5B-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

PTVSHC3N4V5B-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-3封装，询盘确认库存，该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。其最大峰值电流（IPP）为240A，具备出色的能量吸收能力，可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。工作反向电压（VRWM）为4.

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MPN
PTVSHC3N4V5B-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/PTVSHC3N4V5B-HXY
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