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PTVSHC2EN4V5B-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

PTVSHC2EN4V5B-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1610-2L封装，询盘确认库存，该静电和浪涌保护器件采用双向设计，支持160A峰值脉冲电流（IPP）的瞬态电压吸收能力，适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。其反向工作电压为4.5V（VRWM），可在较宽电压范围内稳

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MPN
PTVSHC2EN4V5B-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-1610-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/PTVSHC2EN4V5B-HXY
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