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PESD5V0L4UG-N BORN(伯恩半导体) 现货与清单询价

PESD5V0L4UG-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-353封装，询盘确认库存，特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触；±30kV空气。应用：手机及配件。 个