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PESD36VS2UT-N BORN(伯恩半导体) 现货与清单询价

PESD36VS2UT-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：300瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV接触，±20kV空气。应用：数据线。 自动取款机