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NXPSC066506Q-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NXPSC066506Q-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的平均正向整流电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复