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NVHL082N65S3F-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVHL082N65S3F-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高电压环境下的工作需求。导通电阻（RDON）为60mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。额定漏极电流（ID）为29A

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MPN
NVHL082N65S3F-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVHL082N65S3F-HXY
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