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NVHL040N65S3HF-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVHL040N65S3HF-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能和可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS高达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，确保了在高负

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MPN
NVHL040N65S3HF-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVHL040N65S3HF-HXY
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