PUBLIC PAGE SUMMARY

NVHL040N65S3F-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVHL040N65S3F-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场合。其主要参数为：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在较

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
NVHL040N65S3F-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVHL040N65S3F-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed