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NVHL027N65S3F-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVHL027N65S3F-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为108A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材