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NVH4L060N065SC1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVH4L060N065SC1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力，连续漏极电流ID可达52A，漏源击穿电压VDSS为650V，确保在高压环境下稳定工作。导通电阻RDON低至40mΩ，有效

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MPN
NVH4L060N065SC1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247H-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVH4L060N065SC1-HXY
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