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NVH4L032N065M3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVH4L032N065M3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压范围为-10V至+25V。其低导通电阻有助于