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NVH4L023N065M3S onsemi(安森美) 现货与清单询价

NVH4L023N065M3S，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，特性：典型导通电阻：在栅源电压为 18V 时为 23mΩ。 超低栅极电荷：总栅极电荷为 69nC。 低电容高速开关：输出电容为 153pF。 100% 雪崩测试。 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序能

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MPN
NVH4L023N065M3S
品牌/制造商
onsemi(安森美)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVH4L023N065M3S
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