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NVH4L022N120M3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVH4L022N120M3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型碳化硅场效应管（MOSFET），采用宽禁带半导体材料，具备优异的高频与高温工作能力。其漏极电流ID可达81A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，导通电阻RDON低至2

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MPN
NVH4L022N120M3S-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVH4L022N120M3S-HXY
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