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NVH4L022N120M3S onsemi(安森美) 现货与清单询价

NVH4L022N120M3S，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，特性：典型RDS(tot) = 22 mΩ，VGS = 18 V。超低栅极电荷 (QG(tot) = 151 nC)。低电容高速开关 (Coss = 244 pF)。 100%雪崩测试。 AEC-Q101

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MPN: NVH4L022N120M3S
品牌/制造商: onsemi(安森美)
封装: TO-247-4L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NVH4L022N120M3S

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