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NVD360N65S3T4G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVD360N65S3T4G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率、高频率的电力转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳

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MPN
NVD360N65S3T4G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVD360N65S3T4G-HXY
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