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NVBG040N120SC1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NVBG040N120SC1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和高效的开关表现。其额定漏极电流ID为68A，导通电阻RDON为40mΩ，有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。该

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MPN
NVBG040N120SC1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVBG040N120SC1-HXY
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