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NVBG040N120M3S onsemi(安森美) 现货与清单询价
NVBG040N120M3S，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，D2PAK-7L封装，询盘确认库存，特性：典型导通电阻 RDS(on) = 40 mΩ（VGS = 18 V 时）。 超低栅极电荷（QG(tot) = 75 nC）。 低电容高速开关（Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% 雪崩测试。 AEC-Q1
- MPN
- NVBG040N120M3S
- 品牌/制造商
- onsemi(安森美)
- 封装
- D2PAK-7L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/NVBG040N120M3S