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NTPF250N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTPF250N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，兼容常规驱动电

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MPN
NTPF250N65S3H-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTPF250N65S3H-HXY
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