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NTPF150N65S3HF-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTPF150N65S3HF-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率、高频率的电源转换场景。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的栅极

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MPN
NTPF150N65S3HF-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTPF150N65S3HF-HXY
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