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NTPF125N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTPF125N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少功率损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极控制。基于

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MPN: NTPF125N65S3H-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTPF125N65S3H-HXY

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