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NTP190N65S3HF-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTP190N65S3HF-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可

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MPN
NTP190N65S3HF-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTP190N65S3HF-HXY
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