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NTMT095N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTMT095N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低

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MPN
NTMT095N65S3H-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-5B
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTMT095N65S3H-HXY
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