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NTMT064N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTMT064N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管为N沟道类型，具有68A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频开关操

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MPN
NTMT064N65S3H-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-5B
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTMT064N65S3H-HXY
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