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NTHL067N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTHL067N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有29A的最大漏极电流（ID）和650V的漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为60mΩ，可在高电压与大电流环境下稳定工作。器件采用先进工艺制造，具

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MPN: NTHL067N65S3H-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTHL067N65S3H-HXY

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