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NTHL027N65S3HF-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTHL027N65S3HF-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+

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MPN: NTHL027N65S3HF-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTHL027N65S3HF-HXY

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