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NTH4LN067N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTH4LN067N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关性能。其最大漏极电流ID为29A，导通电阻RDON低至60mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统能效。器件采

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MPN
NTH4LN067N65S3H-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTH4LN067N65S3H-HXY
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