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NTH4LN040N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTH4LN040N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的高压大电流特性，适用于多种功率转换与电源管理应用。其漏源电压VDSS为650V，支持在较高电压条件下稳定工作；漏极电流ID可达49A，能够满足对电

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MPN
NTH4LN040N65S3H-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTH4LN040N65S3H-HXY
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