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NTH4L020N120SC1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTH4L020N120SC1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。漏极电流ID可达81A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高功率密度电源系统。导通电阻RDON低至21毫欧

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MPN
NTH4L020N120SC1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTH4L020N120SC1-HXY
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