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NTH4L013N120M3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTH4L013N120M3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效

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MPN
NTH4L013N120M3S-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTH4L013N120M3S-HXY
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