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NTH027N65S3F-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTH027N65S3F-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，在

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MPN: NTH027N65S3F-F155-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTH027N65S3F-F155-HXY

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