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NTD250N65S3H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTD250N65S3H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，可减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，

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MPN: NTD250N65S3H-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTD250N65S3H-HXY

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