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NTBG1000N170M1 onsemi(安森美) 现货与清单询价
NTBG1000N170M1,onsemi(安森美),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),D2PAK封装,询盘确认库存,特性:典型导通电阻RDS(on) = 960 mΩ。 超低栅极电荷(典型值QG(tot) = 14 nC)。 低有效输出电容(典型值Cₒₛₛ = 11 pF)。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器
- MPN
- NTBG1000N170M1
- 品牌/制造商
- onsemi(安森美)
- 封装
- D2PAK
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/NTBG1000N170M1
