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NTBG070N120M3S onsemi(安森美) 现货与清单询价

NTBG070N120M3S，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，D2PAK-7L封装，询盘确认库存，特性：典型导通电阻：在栅源电压为 18V 时为 65mΩ。超低栅极电荷（总栅极电荷 QG(tot) = 57nC）。低电容高速开关（输出电容 Coss = 57pF）。 100% 雪崩测试。该器件无卤化物，

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MPN: NTBG070N120M3S
品牌/制造商: onsemi(安森美)
封装: D2PAK-7L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTBG070N120M3S

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