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NTBG040N120SC1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NTBG040N120SC1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道场效应管（MOSFET），具备较高的电流承载能力和优异的导通性能。其最大漏极电流ID为68A，导通电阻RDON为40mΩ，可在高电压环境下实现较低的导通损耗。器件采

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MPN
NTBG040N120SC1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTBG040N120SC1-HXY
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