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NTBG040N120M3S onsemi(安森美) 现货与清单询价

NTBG040N120M3S，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，D2PAK7封装，询盘确认库存，特性：Typ. RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。 Ultra Low Gate Charge (QG(TOT) = 75 nC)。 High Speed Switching with Low

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MPN: NTBG040N120M3S
品牌/制造商: onsemi(安森美)
封装: D2PAK7
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTBG040N120M3S

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