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NTBG030N120M3S onsemi(安森美) 现货与清单询价

NTBG030N120M3S，onsemi(安森美)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，D2PAK-7封装，询盘确认库存，特性：典型导通电阻RDS(on) = 29mΩ（VGS = 18V时）。超低栅极电荷QG(tot) = 107nC。低电容高速开关（Coss = 106pF）。 100%雪崩测试。该器件无卤，符合RoHS指令

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MPN: NTBG030N120M3S
品牌/制造商: onsemi(安森美)
封装: D2PAK-7
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/NTBG030N120M3S

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