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NSVMMBT589LT1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NSVMMBT589LT1G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电路设计，具备1A的集电极电流（IC）能力，支持最高30V的集电极-发射极电压（VCEO），非常适合用于信号放大和开关应用。其直流电流增益（HFE）范围在100至300

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MPN
NSVMMBT589LT1G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NSVMMBT589LT1G-HXY
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